反应烧结碳化硅产品主要技术参数

Technical parameters of Reaction-Bonded SiC Products

 

项目 (item)	单位 (unit)	指标 （Date）
使用温度 （applicationtemperature）	℃	1380
密度 （density）	G/cm3	≥3.02
气孔率 （open porosity）	%	≤0.1
抗弯强度 (bending strength)	Mpa	250(20℃)
	Mpa	280(1200℃)
弹性模量 （modul us of elasticity）	Gpa	330（20℃）
	Gpa	300（1200℃）
导热系数 （Thermal Conductivity）	W/（M.K）	45（1200℃）
热膨胀系数  (coefficient ofthermal expansion)	K-1×10-6	4.5
莫氏硬度 （rigidity）		9
耐酸碱性 （acid&alkali resistance）		优

无压烧结碳化硅陶瓷技术参数

Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics

氮化硅陶瓷技术参数

Technical parameters of silicon nitride ceramics